TDK CeraLinkコンデンサは、その材料が電圧の増加とともに静電容量の増加を示す、最近特許を取得した反強誘電性のコンデンサ技術を特色としています。このユニークな能力のお蔭で、CeraLinkコンデンサは、スナバの応用にとって理想的なソリューションです。最近特許を取得した反強誘電性のコンデンサ技術に基づき、TDK CeraLinkコンデンサの静電容量は電圧の増加とともに増加します。
非常に低い ESL(等価直列インダクタンス)と ESR(等価直列抵抗)の特性のお蔭で、CeraLinkコンデンサは、より高いスイッチング周波数と低コストでより頑丈な半導体(例えば、高速 IGBT対MOSFET)の利用をサポートします。最新のIGBTは、製造の複雑さが著しく低いことによる素晴らしい対費用効果や、超接合MOSFETよりもしばしば小さいチップ面積、また高いスイッチング周波数を提供します。このタイプのソリューションのコストは、MOSFETソリューションに比べ、一般的に約3分の1低いです。さらに、コンデンサ値、配電盤スペース、マグネティクス、ヒートシンクなども著しく縮小することができるので、ソリューションの総費用 (TCS) は40パーセント以上減少させることができます。
システム統合のためにのみ使用される場合、CeraLinkコンデンサは、システムアプローチにより引き起こされるピーク過電圧によって半導体が損傷されるリスクを減少させます。スナバ機能が半導体を安全な運転範囲に保ちます。
新しい特許取得システムソリューション
新しく設計されたセラミック材料と銅の内部電極との組み合わせを特色とするCeraLink積層デザインは、経済性と性能の両方の点からはっきりした利点を提供します。
利点
- ESR(等価直列抵抗)が温度ともに徹底的に減少
- 極めて低いESL(等価直列インダクタンス)
- 銅の内部電極材料の特性は、高周波スイッチングに対して損失が少なく有利であり、高い最大電流により高速のスルーレートが可能
- 1 MHzまでの、またそれ以上のスイッチング周波数に適している
- 最高+150 °Cまでの広い使用温度範囲(SiC/ GaNに対しても適している)
- 高周波において低コスト
- 高速スイッチング半導体をサポート
- システムレベルでのパワー電子部品のさらなる小型化をサポート
- 材料の選択による超低リーク電流
- 周波数の増加とともに、誘電損失が減少
- ハンダ用や、最新の高速圧入技術用の端子
- 直流バイアスにより最大使用電圧まで増加する静電容量
- 産業用と自動車用の典型的な電力モジュールに対するオプションがある、コンパクトなハウジング
- 電力モジュール (IGBT/ MOSFET/ SiC) の中に統合するための特殊タイプ
特徴
- 高い静電容量密度
- 非常に低いESR(等価直列抵抗)と低い ESL(等価直列インダクタンス)
- 高い電流密度、有効なリプル電圧減少能力
- 電圧上昇とともに増加する有効な静電容量
- 高い温度の規定外変動に対する能力
- 高周波数における低い損失
- 高速スイッチング半導体をサポート
- システムレベルでのパワー電子部品のさらなる小型化をサポート
仕様
- 絶縁抵抗:>1 GΩと非常に高く、その結果、特に高温時に非常に低いリーク電流
- ESL(等価直列インダクタンス)<3.5 nHと非常に低い
- 使用温度は -40 °C ~ +125 °C(短期間は最高+150 °Cまで)であり、 SiCとGaNにも適している