TDK CeraLink Kondensatoren nutzen eine neue, patentierte antiferroelektrische Kondensatortechnologie. Die Kapazität des verwendeten Werkstoffs nimmt mit steigender Spannung zu. Dank dieser Eigenschaft eignen sich die CeraLink Produkte ideal für Snubber-Anwendungen. Aufgrund ihrer neu patentierten antiferroelektrischen Kondensatortechnologie steigt die Kapazität der TDK CeraLink Kondensatoren mit steigender Spannung an.

Capacitance to voltage

CeraLink Kondensatoren unterstützen dank ihrer sehr extrem geringen ESL- und ESR-Werte höhere Schaltfrequenzen und die Verwendung kostengünstigerer, robusterer Halbleiter (z. B. Hochgeschwindigkeits-IGBT statt MOSFET). Merkmale wie deutlich niedrigere Fertigungskomplexität, Chip-Bereiche, die häufig kleiner sind als bei Superjunction-MOSFETs, und hohe Schaltfrequenzen sorgen bei den neuesten IGBTs für ein hervorragendes Preis-Leistungs-Verhältnis. Die Kosten einer solchen Lösung liegen ein Drittel niedriger als bei einer MOSFET-Lösung. Darüber hinaus können auch der Kapazitätswert der Kondensatoren, der Platz auf der Platine, die Magnete, der Kühlkörper usw. erheblich reduziert werden, so dass sich die Gesamtkosten der Lösung (TCS) um mehr als 40 Prozent senken lassen.

Bei ausschließlicher Verwendung zur Systemintegration reduzieren CeraLink Kondensatoren das Risiko, dass Halbleiter durch systembedingte Überspannungsspitzen beschädigt werden. Die Snubber-Funktion sorgt dafür, dass die Halbleiter stets im sicheren Bereich betrieben werden.

Neue, patentierte Systemlösung

Die mehrschichtige Konstruktion von CeraLink mit neu entwickeltem Keramikwerkstoff in Kombination mit inneren Kupferelektroden bietet klare Vorteile hinsichtlich Kosten und Leistung.

Vorteile

• Deutliche Abnahme des ESR mit sinkender Temperatur
• Extrem geringer ESL-Wert
• Die Werkstoffeigenschaften der inneren Kupferelektroden sind von Vorteil für das hochfrequente Schalten bei geringen Verlusten, hohen Anstiegsgeschwindigkeiten und hohem I_max-Wert
• Geeignet für Schaltfrequenzen bis über 1 MHz
• Großer Betriebstemperaturbereich bis 150 °C (auch geeignet für SiC/GaN)
• Verlustarm bei hohen Frequenzen
• Unterstützt schnell schaltende Halbleiter
• Unterstützt weitere Miniaturisierung der Leistungselektronik auf Systemebene
• Extrem niedrige Kriechströme dank verwendeter Werkstoffe
• Mit steigender Frequenz abnehmende dielektrische Verluste
• Anschlüsse zum Löten oder für moderne Einpresstechnologie
• Steigende Kapazität mit DC-Vorspannung bis zur Betriebsspannung
• Kompaktes Gehäuse mit Optionen für typische Leistungsmodule für Anwendungen in Industrie und Automobilbau
• Spezialausführungen für die Integration in Leistungsmodule (IGBT/MOSFET/SiC)

Merkmale

• Hohe Kapazitätsdichte
• Extrem niedriger ESR und geringe ESL
• Hohe Stromdichte, effektive Verringerung der Restwelligkeit
• Effektive Kapazität erhöht sich mit steigender Spannung
• Für vorübergehende Verwendung bei hohen Temperaturen geeignet
• Verlustarm bei hohen Frequenzen
• Unterstützt schnell schaltende Halbleiter
• Unterstützt weitere Miniaturisierung der Leistungselektronik auf Systemebene

Spezifikationen

• Isolationswiderstand: >1 GΩ sehr hoch, dadurch sehr geringe Kriechströme, insbesondere bei hohen Temperaturen
• ESL<3,5 nH und somit extrem niedrig
• Betriebstemperatur -40 °C bis +125 °C (kurzzeitig bis +150 °C), dadurch auch für SiC und GaN geeignet