TDK Electronics · TDK Europe

Überspannungsschutz

29. April 2021

TDK bietet extrem kleine TVS-Dioden für hocheffektiven ESD-Schutz

 Teaser_de

Die TDK Corporation präsentiert hochleistungsfähige TVS-Dioden in sehr kleinen Baugrößen zum ESD-Schutz und erweitert damit ihr reichhaltiges Portfolio an Bauelementen für den bidirektionalen Überspannungsschutz von I/O-Schnittstellen. Der Flächenbedarf des sogenannten Chip Scale Package (CSP) liegt bei nur 400 x 200 µm2 (CSP01005), beziehungsweise 600 x 300 µm2 (CSP0201). Sehr gering ist auch die Bauhöhe von nur 100 µm.

Ausgelegt sind die neuen Typen für eine Betriebsspannung von 5 V und eine Ansprechspannung von 6,8 V. Die Klemmspannungen der beiden neuen TVS-Dioden betragen 7,2 V bei einem Spitzenimpulsstrom von 8 A bzw. 8 V bei einem Spitzenimpuls-strom von 16 A. Die beiden neuen TVS-Dioden unterscheiden sich in ihren parasitären Kapazitäten: Der Typ SD0201SL-GP101 mit der Bestellnummer B74121G0050M060 weist eine Kapazität von 12 pF auf, während der Typ SD01005SL-GP101 (B74111G0050M060) einen Kapazitätswert von nur 5 pF hat. Weitere Leistungsmerkmale sind die kurze Ansprechzeit und der geringe Leckstrom von nur 2 nA bei 3,3 V.

Die Schutzbauelemente sind entsprechend IEC 61000-4-2 für eine ESD-Kontakt-Entladung von bis zu 24 kV ausgelegt, was weit über den Standardanforderungen liegt. Trotz der geringen Baugröße sind die Bauelemente für hohe Stoßstrombelastungen von bis zu 8 A entsprechend IEC 61000-4-5 (8/20 µs) konzipiert.

Die neuen TVS-Dioden eignen sich für eine Vielzahl von Anwendungen für IoT, Smart Home oder Industrie 4.0. Aufgrund ihrer geringen Baugröße eignen sich die neuen Schutzbau­elemente besonders für Wearables, Smartphones, Notebooks, Tablets, Smartwatches oder auch Hörgeräte.

Hauptanwendungsgebiete

  • Geräte für IoT, Smart Home oder Industrie 4.0
  • Smartphones, Notebooks, Tablets, Smartwatches oder Hörgeräte

Haupteigenschaften und -vorteile

  • Bidirektionaler Schutz von I/O-Schnittstellen
  • ESD-Schutz entsprechend IEC 61000-4-2
  • Maximale Kontakt-Entladungsspannung von bis zu 24 kV
  • Stoßstrombelastungen von bis zu 8 A entsprechend IEC 61000-4-5 (8/20 µs)
  • Geringe Klemmspannung von 8 V
  • Geringer Flächenbedarf von 400 x 200 µm2 bzw. 600 x 300 µm2 in Chip Scale Package
  • Extrem geringe Bauhöhe von nur 100 µm