光トランシーバー用小型薄膜インダクタの開発と量産

• 小型サイズで高インダクタンス10uHを実現 

• 10～200MHzの広い周波数帯域で高いインピーダンス特性を実現 

• 直流抵抗は約70%低減し電力損失や発熱を抑制  

• 定格電流は1.7倍を実現 

TDK株式会社（社長：齋藤 昇）は、光トランシーバー用薄膜インダクタ 「PLEC69Bシリーズ」（L1.2mm×W0.6mm×H0.95mm）を開発し、2025年8月より量産を開始したことを発表します。  

AIの普及により、データセンター向けの高速大容量に対応した光トランシーバーの需要は急増しています。高速光トランシーバーに構成されるバイアスティー（Bias-Tee）回路は1本の伝送ラインに信号と電力を重畳する機能で、その回路にインダクタが使用されています。インダクタのインピーダンス特性により信号と電力を分離することで信号が電源側へ流れ込むことを防ぐ役割があります。 

本製品は、外形サイズL1.2mm×W0.6mmの10μHにおいて、独自の金属磁性材料と構造設計により業界最高水準*の特性を実現しました。10～200MHzの広い周波数帯域で高いインピーダンス特性で信号と電力を分離して通信品質の向上に寄与します。また、市場の同等品と比較して直流抵抗は約70%低減した1.4Ωtyp.で電力損失や発熱を抑制し、定格電流（Isat.）は1.7倍の0.2Aを実現しました。また、外形サイズの小型化により実装の省スペース化に貢献します。動作温度範囲の上限は125°Cの高温環境に対応する高信頼性インダクタです。 

今後も大きな成長が見込まれるAI市場のデータセンター、サーバーとその光通信関連またエッジ端末等向けに低消費電力化と高速通信化の市場ニーズに沿った製品開発により、豊富なラインアップで貢献して参ります。  

*2025年8月現在、TDK調べ