TDK Electronics · TDK Europe

Keramik-Kondensatoren

8. Oktober 2024

TDK bietet CeraLink Chipkondensatoren für den Einsatz in Anwendungen mit 800 V Bus-Spannung

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Die TDK Corporation erweitert ihr Angebot an CeraLink Kondensatoren der Serie B58043 im SMD-Standardformat EIA 2220 um zwei neue 900-V-Typen – einen mit Standardanschlüssen (B58043I9563M052) und einen mit Soft-Terminierung (B58043E9563M052). Da Elektrofahrzeuge mit einer Batteriespannung von 800 V immer beliebter werden, sind diese neuen Bauelemente naheliegende Kandidaten, da ihr optimaler Arbeitspunkt genau bei dieser Spannung liegt. Während die bestehende CeraLink-Serie mit 500 V auf 400-V-Inverter abzielt, die mit Galliumnitrid-Transistoren (GaN) oder Silizium-MOSFETs ausgestattet sind, zielen die neuen 900-V-Bauelemente mit einer Spannungsfestigkeit von mehr als 1 kV auf 800-V-Inverter ab, die mit Siliziumkarbid-MOSFETs (SiC) oder Silizium-IGBTs ausgestattet sind.

Die 5,7 x 5,0 x 1,6 mm³ kleinen SMD-Kondensatoren haben eine effektive Kapazität von 33 nF, erreichen aber 56 nF bei einer Betriebsspannung von 800 V in Großsignalanwendungen wie Leistungswandlern und Invertern. Dieser positive DC-Bias-Effekt geht auf das keramische Dielektrikum PLZT (Blei-Lanthan-Zirkonium-Titanat) zurück, wohingegen bei MLCCs mit Klasse-II-Dielektrikum ein negativer DC-Bias-Effekt auftritt.

Damit sind die CeraLink Kondensatoren eine äußerst kompakte Lösung für Snubber, Filter, Flying Capacitors und DC-Zwischenkreise (DC Link), um nur einige der Anwendungen zu nennen, für die sie in Leistungswandlern und Invertern in den Bereichen Automobil, erneuerbare Energien und Industrie-Antriebe infragekommen. Sie sind nach AEC-Q200 qualifiziert und ihr Verlustfaktor tanẟ bleibt unter 0,025.

Eigenschaften & Anwendungen

Hauptanwendungsgebiete

  • Schnell schaltende Leistungswandler und Inverter für Anwendungen in den Bereichen Automobil, erneuerbare Energien und industrielle Antriebe

Haupteigenschaften und -vorteile

  • Kapazität steigt mit DC-Vorspannung (DC Bias) bis zur Nennspannung
  • Für Wide-Bandgap-Halbleiter wie SiC and GaN
  • Hohe Ripplestrom-Belastbarkeit
  • Betriebstemperatur: -40 bis +150 °C
  • Qualifizierung basierend auf AEC-Q200 Rev. E

Kenndaten

Typ

Abmessungen [mm]

VR [V]

Vop [V]

Cnom,typ [nF]

Ceff,typ [nF]

B58043I9563M052 
(Standardanschlüsse)
5,7 x 5,0 x 1,69008005633
B58043E9563M052 
(Soft-Terminierung)

Ausführliche Informationen



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