EMV-Bauelemente
10. Dezember 2019
Rauschfilter mit hohem Nennstrom für Lautsprecher
- Verzerrungsarmes Ferritmaterial für hohe Audioqualität
- Hoher Nennstrom von über 2 A für Smart Speaker und externe Lautsprecher
Die TDK Corporation hat die Baureihe MAF ihrer Rauschfilter um zwei neue Typen der Serie MAF1608GAD-L für Audioleitungen erweitert. Die neuen Vielschichtfilter besitzen eine Grundfläche von nur 1,6 x 0,8 mm2 und eine Bauhöhe von lediglich 0,6 mm. Sie unterdrücken Rauschsignale von Mobilfunkfrequenzen ab 1 GHz sowie von Class-D-Verstärkern und sorgen für eine hohe Dämpfung dieser Frequenzen. Die Filter bieten einen Nennstrom von 3,2 bzw. 2,3 A, einen geringen DC-Widerstand von nur 0,021 bzw. 0,045 Ω sowie eine Impedanz von 120 Ω beziehungsweise 200 Ω bei 900 MHz. Aufgrund ihres geringen DC-Widerstands und des hohen Nennstroms von mehr als 2 A sind die neuen Bauelemente insbesondere für Smart Speaker und externe Lautsprecher für Tablets, die 2 W Leistung und mehr benötigen, sowie für Kopfhörer und Mikrofone geeignet. Die Serienfertigung wurde im Dezember 2019 aufgenommen.
Die Baureihe MAF, einschließlich der neuen Typen MAF1608GAD-L, nutzt ein verzerrungsarmes Ferritmaterial, das eine sehr effektive Rauschunterdrückung ermöglicht. Damit verbessern diese Filter in den Lautsprecherleitungen die Empfindlichkeit deutlich. Im Unterschied zu konventionellen Chip-Beads wird die Klangqualität zudem nicht beeinträchtigt. Die neuen Bauelemente ergänzen die Typen MAF1005GAD für Kopfhörer- und für die Mikrofonleitungen von Smartphones. TDK wird auch künftig sein Portfolio ausbauen, um die Nachfrage nach einer optimalen Rauschunterdrückung und einer hohen Audioqualität zu befriedigen.
Hauptanwendungsgebiete
- Smart Speaker, externe Lautsprecher für Tablets, Kopfhörer und Mikrofone
Haupteigenschaften und -vorteile
- Verzerrungsarmes Ferritmaterial für eine effektive Rauschunterdrückung und geringe Audio-Verzerrung
- Hoher Nennstrom von 2 A und mehr erlaubt Einsatz für Smart Speaker und externe Lautsprecher
Kenndaten
Typ | Typ. Impedanz bei 900 MHz [Ω] | Typ. DC-Widerstand [Ω] | Max. DC-Widerstand [Ω] | Nennstrom [A] |
---|---|---|---|---|
MAF1608GAD121L | 120 | 0,021 | 0,027 | 3,2 |
MAF1608GAD201L | 200 | 0,045 | 0,059 | 2,3 |
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