Hocheffiziente Leistungsinduktivitäten in Dünnschichttechnologie für mobile Anwendungen

• DC-Widerstand 12 Prozent niedriger als bei konventionellen Produkten
• Nennstrom 4 Prozent höher als bei konventionellen Produkten  

Die TDK Corporation hat eine miniaturisierte Dünnschicht-Leistungsinduktivität in der Baugröße IEC 2012 entwickelt. Das neue Bauelement zeichnet sich besonders durch seine höhere Stromtragfähigkeit gegenüber konventionellen Produkte aus. Die Leistungsinduk­tivität TFM201208ALD hat eine Fläche von 2,0 x 1,25 mm², eine geringe Bauhöhe von nur 0,8 mm und bietet eine Nenninduktivität von 1,0 µH.

Dank des niedrigeren DC-Widerstands, der mit 79 mΩ um 12 Prozent unter dem konventio­neller Leistungsinduktivitäten liegt, ermöglicht das neue Bauelement eine deutliche Verlust­reduzierung. In Verbindung mit den verbesserten DC-Überlagerungseigenschaften bietet es einen Nennstrom von 2,5 A und übertrifft damit den Wert herkömmlicher Leistungsinduktivi­täten um 4 Prozent. Dadurch hilft das neue Bauelement, die Effizienz der Leistungswandler für größere Lasten gerade in kompakten Mobilgeräten, wie Smartphones und Tablets, zu steigern. Die Akkubetriebszeit kann damit bei gleichzeitig hoher Funktionalität der Geräte verlängert werden.

Die Serienproduktion der neuen Dünnschicht-Leitungsinduktivität der Baureihe TFM201208ALD begann im Mai 2019. TDK wird auch künftig sein Portfolio an Dünnschicht-Leistungsinduktivitäten mit miniaturisierten IEC 1608 Typen, darunter für die Automobil­industrie, ausbauen.

Hauptanwendungsgebiete

• Leistungswandler in kompakten Mobilgeräten, wie Smartphones und Tablets

Haupteigenschaften und -vorteile

• DC-Widerstand 12 Prozent niedriger als bei konventionellen Produkten
• 2,5 A Nennstrom 4 Prozent höher als bei konventionellen Produkte

Kenndaten

* Bezogen auf eine Temperaturerhöhung um 40 K durch Selbsterwärmung